元器件与材料
电池的分类
常见锂锰钮扣电池规格
AWG导线规格
PCB厚度标准
高频PCB材料
RJ11连接器与电话接口
SMD元件外形规格的英制和公制对照
0603精密电阻的标识
常见SMD二三极管封装
贴片电解电容的外形代号
SPICE仿真用的稳压管型号
石英晶体的等效电路
普通二极管型号参数
常用整流二极管参数
常用快恢复整流二极管
常用超快恢复整流二极管
常用肖特基二极管参数
常用双极性三极管参数
常用功率双极性三极管
常用MOSFET型号参数
常用单向可控硅参数
常用微触发单向可控硅
常用四象限双向可控硅
常用普通光电耦合器型号
常用特种光电耦合器型号
常用高速光电耦合器型号
常用的逻辑芯片系列
常用的逻辑芯片型号
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常用四象限双向可控硅
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常用特种光电耦合器型号
常用高速光电耦合器型号
常用的逻辑芯片系列
常用的逻辑芯片型号
常用MOSFET型号参数
这些年MOSFET发展比较快,MOSFET是metal-oxide semiconductor field effect transistor的缩写,意思是金属氧化物半导体场效应晶体管,分为N沟道和P沟道两种类型。 MOSFET由多数载流子参与导电,属于电压控制型半导体器件,输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、没有二次击穿现象、安全工作区域宽,越来越获得广泛应用。
中小功率N沟道MOSFET常用型号有:型号 | ID(on)(A) | IDM(A) | RON@VGS(Ω) | Vth(V) | VGS(V) | BVDSS(V) |
2N7002 | 3 | 0.80 | 7.5@10V | 2.5 | ±20 | 60 |
Si2300 | 3.6 | 15 | 0.07@4.5V | 1.5 | ±12 | 20 |
Si2302 | 2.9 | 15 | 0.06@4.5V | 1.2 | ±8 | 20 |
Si2304 | 3.6 | 10 | 0.075@4.5V | 2.2 | ±20 | 30 |
Si2308 | 2.6 | 6 | 0.2@4.5V | 3 | ±20 | 60 |
中小功率P沟道MOSFET常用型号有:
型号 | ID(on)(A) | IDM(A) | RON@VGS(Ω) | Vth(V) | VGS(V) | BVDSS(V) |
Si2301 | 3.1 | 10 | 0.112@4.5V | 1 | ±8 | 20 |
Si2303 | 2.7 | 15 | 0.33@4.5V | 3 | ±20 | 30 |
Si2305 | 5.8 | 20 | 0.035@4.5V | 1 | ±8 | 8 |
Si2307 | 2.7 | 12 | 0.138@4.5V | 3 | ±20 | 30 |
Si2309 | 1.6 | 8 | 0.45@4.5V | 3 | ±20 | 60 |
在MOSFET更多用在高压大功率场合,型号非常多,随着技术的进步,很多型号已经很少使用,但也有一些型号一直沿用下来且使用广泛。
型号 | ID(on)(A) | IDM(A) | RON@VGS(Ω) | Vth(V) | VGS(V) | BVDSS(V) |
IRF530 | 17 | 68 | 0.11@10V | 2~4 | ±20 | 100 |
IRF540 | 23 | 92 | 0.077@10V | 2~4 | ±20 | 100 |
IRF630 | 9 | 36 | 0.40@10V | 2~4 | ±20 | 200 |
IRF640 | 18 | 72 | 0.18@10V | 2~4 | ±20 | 200 |
IRF730 | 5.5 | 22 | 1@10V | 2~4 | ±20 | 400 |
IRF740 | 10 | 40 | 0.55@10V | 2~4 | ±20 | 400 |
IRF730 | 5 | 20 | 1.4@10V | 2~4.5 | ±20 | 500 |
IRF740 | 8 | 32 | 0.85@10V | 2~4 | ±20 | 500 |
IRFZ44N | 49 | 160 | 0.022@10V | 2~4 | ±20 | 55 |
IRFZ48N | 64 | 210 | 0.016@10V | 2~4 | ±20 | 55 |
1N60 | 1 | 9 | 10@10V,0.6A | 2~4 | ±30 | 600 |
1N65 | 1.2 | 4.8 | 12.5@10V,0.6A | 2~4 | ±30 | 650 |
2N60 | 2 | 8 | 3.8@10V,1A | 2~4 | ±30 | 600 |
2N65 | 2 | 8 | 4.5@10V,1A | 2~4 | ±30 | 650 |
4N60 | 3.9 | 11.7 | 1.2@10V,2A | 2~4 | ±30 | 600 |
4N65 | 3 | 12 | 3@10V,1.5A | 2~4 | ±30 | 650 |
5N60 | 4.5 | 18 | 2@10V,2.2A | 2~4 | ±30 | 600 |
7N60 | 7 | 28 | 1@10V,3.5A | 2~4 | ±30 | 600 |
7N65 | 7 | 30 | 1.4@10V,3.75A | 2~4 | ±30 | 650 |
8N60 | 7.5 | 30 | 1.2@10V,3.75A | 2~4 | ±30 | 600 |
8N65 | 8 | 12 | 1.5@10V,3.5A | 2~4 | ±30 | 650 |
10N60 | 10 | 38 | 0.73@10V,4.75A | 2~4 | ±30 | 600 |
10N65 | 9.5 | 40 | 0.95@10V,4.75A | 2~4 | ±30 | 650 |
12N60 | 12 | 48 | 0.7@10V,6A | 2~4 | ±30 | 600 |
12N65 | 9.5 | 48 | 0.85@10V,6A | 2~4 | ±30 | 650 |
15N60 | 15 | 60 | 0.46@10V,9A | 3~5 | ±30 | 600 |
15N65 | 15 | 60 | 0.44@10V,7.5A | 3~5 | ±30 | 650 |
18N60 | 18 | 45 | 0.2@10V,9A | 2~4 | ±30 | 600 |
18N65 | 18 | 64 | 0.44@10V,9A | 2~4 | ±30 | 650 |
20N60 | 20 | 60 | 0.19@10V,10A | 2~4 | ±30 | 600 |
20N65 | 20 | 80 | 0.45@10V,10A | 2~4 | ±30 | 650 |
50N06 | 50 | 200 | 0.023@10V,25A | 2~4 | ±20 | 60 |
60N06 | 60 | 120 | 0.018@10V,30A | 2~4 | ±20 | 60 |
70N08 | 70 | 280 | 0.017@10V,35A | 2~4 | ±20 | 80 |
75N75 | 75 | 300 | 0.015@10V,48A | 2~4 | ±20 | 75 |
大功率MOSFET型号中常用的P沟道型号不多,一般也是较低耐压的产品:
型号 | ID(on)(A) | IDM(A) | RON@VGS(Ω) | Vth(V) | VGS(V) | BVDSS(V) |
IRF9Z24 | 11 | 44 | 0.28@10V,6.6A | 2~4 | ±20 | 60 |
IRF9Z34 | 18 | 72 | 0.14@10V,11A | 2~4 | ±20 | 60 |
IRF9530 | 14 | 56 | 0.2@10V,8.4A | 2~4 | ±20 | 100 |
IRF9540 | 19 | 72 | 0.2@10V,11A | 2~4 | ±20 | 100 |
上述表格中的功率MOSFET型号很多是直插型的,是一些经典型号,因为生产量大而价格低廉。而现在又发展出很多新型号,各个厂商有不同命名,是分立元件中发展较快的种类。