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常用特种光电耦合器型号

可控硅是常用的电能控制器件，为了方便对可控硅进行控制，发展出一类光控双向可控硅(Triac)型光耦。这类光耦分随机相位(Random)和过零(Zero Crossing)式两大类。

光控双向可控硅型光耦的常用型号有：

型号	Itr(max) (mA) @3V	IF(max) (mA)	VBR(min) (V) @10uA	VDRM(min) (V) @0.1mA	IDRM(max) (nA)	other
H11J1	10	50	6	250	100	6pin Radom Phase 隔离电压 峰值7.5kV 有效值5.3kV
H11J2	15
H11J3	10
H11J4	15
H11J5	25
MOC3009	30			250
MOC3010	15
MOC3011	10
MOC3012	5
MOC3020	30			400
MOC3021	15
MOC3022	10
MOC3023	5
MOC3051	15			600
MOC3052	10
IS6003	3
IS6005	5
IS6010	10
IS6015	15
IS6030	30
IS607	10			450
IS608	7
MOC3030	30	50	6	250	300	6pin Zero Crossing 隔离电压 峰值7.5kV 有效值5.3kV
MOC3031	15
MOC3032	10
MOC3033	5
MOC3040	30			400
MOC3041	15
MOC3042	10
MOC3043	5
MOC3060	30			600
MOC3061	15
MOC3062	10
MOC3063	5
MOC3080	30			800
MOC3081	15
MOC3082	10
MOC3083	5
IS620	30			400
IS621	15
IS622	10
IS623	5
MF3009	30	60	6	250	100	4pin Mini Flat Radom Phase 隔离电压 有效值3.75kV
MF3010	15
MF3011	10
MF3012	5
MF3020	30			400
MF3021	15
MF3022	10
MF3023	5
MF3051	15			600
MF3052	10
MF3030	30	60	6	250	100	4pin Mini Flat Zero Crossing 隔离电压 有效值3.76kV
MF3031	15
MF3032	10
MF3033	5
MF3040	30			400
MF3041	15
MF3042	10
MF3043	5
MF3060	30			600
MF3061	15
MF3062	10
MF3063	5
MF3080	30			800
MF3081	15
MF3082	10
MF3083	5

其中，I_tr(max)为输入触发电流最大值，V_DRM为可承受的阻断电压峰值，I_DRM(max)为Triac关断状态时的最大电流。

另一种是用作光电开关的光耦，也称为光电固态继电器(Solid State Relay)，输出端耐压有多种，常用型号有：

型号	VL(max) (V)	IL(max) (mA)	ILpeek (max)(A)	ION(max) (mA)	IOFF(min) (mA)	RON (max) (Ω)	TON(max) (ms)	TOFF(max) (ms)
ISP06	60	550	1.2	5	0.4	2.5	3	0.5
ISP25	250	180	0.5			15
ISP40	400	120	0.3			30
ISP60	600	50	0.15			70

光固态继电器型一般有4pin和6pin两种封装方式，电参数基本一致，但6pin方式有3个输出引出脚，可以只使用半边，也可以接成并联驱动方式，使用更加灵活。
其中，V_L(max)为输出端的最高耐压，I_L(max)为输出端的最大导通电流，I_Lpeek(max)为允许持续100ms的峰值最大导通电流，输入允许的最大电流为50mA，隔离电压有效值最小5kV。 而I_ON(max)为使输出导通时的输入电流上门限，I_OFF(min)为输出关断时的输入电流下门限，R_ON(max)为导通时的电阻， 测试条件为输入电流10mA，并达到最大导通电流1s。T_ON(max)为转换为导通的时间，T_OFF(max)为转换为关断的时间， 测试条件为输入电流10mA，负载电阻200Ω，并达到最大导通电流。

还有一种是用于IGBT/MOSFET栅极驱动(Gate Drive)的光耦：

型号	IOpeak(A) (max)	VCC(V) (max)	VLO+ (V)	VLO- (V)	Ith(Lo/Hi) (max) (mA)	Vth(Hi/Lo) (min) (V)	trr(us) (max)
ICPL-3210	±2.5	35	11.3~13.5	10~12	5	0.8	0.5

其中，I_Opeak为峰值输出电流，I_th(Lo/Hi)为低到高的输入门限电流，V_th(Hi/Lo)为高到低的输入门限电压，为空载(I_O=0)时测试，输出高低门限值5V。 t_rr为输出高低的转换时间，测试条件为输入电流10mA、负载电阻10Ω、负载电容10nF，测试信号频率10kHz、占空比50%。